Samsung introduce el almacenamiento flash para móviles

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Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció que se está produciendo en masa la primera memoria integrada basado en la Universal Flash Storage (UFS) 2.0 estándar de 256 gigabytes de la industria, para los dispositivos móviles de gama alta de la próxima generación. La memoria incorporada recientemente introducida cuenta con un rendimiento excepcional para dispositivos móviles que supera a la de un disco SSD SATA típica basada en los PC.

99aLa memoria Samsung UFS cumple con las necesidades de velocidad ultra rápida, de gran capacidad de datos y el tamaño del chip compacto en smartphones de gama alta. Se basa en chips de memoria flash de la compañía más avanzados VNAND y un controlador de alto rendimiento especialmente diseñado. La memoria UFS maneja hasta 45.000 y 40.000 de entrada / salida de operaciones por segundo (IOPS) para la lectura y la escritura aleatoria, respectivamente, más de dos veces más rápido que los 19.000 y 14.000 IOPS de la generación anterior de la memoria UFS.

Para la lectura secuencial, el UFS 256 GB se aprovecha de dos carriles de transferencia de datos para transferir datos a velocidades de hasta 850 MB/s, lo cual es casi el doble de rápido que un disco SSD basados en SATA típicos usados en ordenadores. En términos de escritura secuencial, que soporta hasta 260 MB/s, que es aproximadamente tres veces más rápido que el de alto rendimiento micro externo de tarjetas SD.

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